本文摘要：近日，从西安电子科技大学芜湖研究院了解到，国产5G芯片用氮化镓材料试制成功。据理解，该项成果是在西电芜湖研究院试制成功，这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，未来将会用上国产材料。 氮化镓半导体材料具备宽带隙、低击穿场强、低热导率、较低介电常数、低电子饱和状态漂移速度、强劲抗辐射能力和较好化学稳定性等良好物理化学性质。

近日，从西安电子科技大学芜湖研究院了解到，国产5G芯片用氮化镓材料试制成功。据理解，该项成果是在西电芜湖研究院试制成功，这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，未来将会用上国产材料。

氮化镓半导体材料具备宽带隙、低击穿场强、低热导率、较低介电常数、低电子饱和状态漂移速度、强劲抗辐射能力和较好化学稳定性等良好物理化学性质。正是因为这些优良特性，使得其沦为时隔第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后制取新一代微电子器件和电路的关键材料，尤其适合于高频率、大功率、高温和外用电离辐射电子器件与电路的研制。西安电子科技大学芜湖研究院相结合于西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，研发出有全国出产的基于碳化硅衬底的氮化镓材料，目前在国际第三代半导体技术领域正处于领先水平，将助力5G通信生产领域的国产化进程。西电芜湖研究院技术总监陈兴回应，研究院目前早已掌控了氮化镓材料的生产和5G通信芯片的核心设计与生产能力。

下一步他们将尽早将这项技术商用，力争早日推向市场。

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